Густина та коефіцієнт поверхневого натягу Ga70Bi30

Fìz.-mat. model. ìnf. tehnol. 2020, 30:62-70

Анотація

Проведено комплексні дослідження поверхневих властивостей системи Ga-Bi в циклах нагріву-охолодження в діапазоні 400-1200 К. Обговорюються особливості кластерної структури рідкого розплаву Ga70Bi30 в заданому інтервалі температур. Отримано температурні залежності густини та поверхневого натягу. Проаналізовано вплив вісмуту на поверхневий натяг Ga70Bi30. Отримані залежності демонструють лінійно-спадний характер. Детальний аналіз отриманих результатів дозволив зробити деякі висновки щодо взаємозв’язку структури і поверхневого натягу досліджуваного розплаву. Зокрема вище критичної точки розшарування мав би спостерігатися розчин відповідно до діаграми стану Ga-Bi. Натомість спостерігається відхилення від випадкового атомного розподілу, що підтверджується значеннями коефіцієнта поверхневого натягу, які для даної системи є близькими до відповідної величини у вісмуту, незважаючи на переважаючу кількість галію. В заданих умовах формуються кластери двох типів з переважаючою взаємодією односортних атомів, причому кластери вісмуту зосереджені переважно на поверхні розплаву, тоді як кластери галію — в його об’ємі.